Title :

Modeling of Fermi-level pinning alleviation with MIS contacts: n and pMOSFETs cointegration considerations-Part II

Author(s) :

Borrel, Julien [Auteur correspondant]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Hutin, Louis [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Rozeau, Olivier [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Jaud, Marie-Anne [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martinie, Sebastien [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gregoire, Magali [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, Maud [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]

Journal title :

IEEE Transactions on Electron Devices

Pages :

3419-3423

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2016

ISSN :

0018-9383

English keyword(s) :

Metal/insulator/semiconductor (MIS) contacts
n and pFETs cointegration
ring oscillators (ROs) frequency

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

In this paper, the insertions of dielectric in metal/insulator/semiconductor contacts are considered via their associated impact on the dc and ac performances. Based on dc output characteristics projections, we found that ...
Show more >In this paper, the insertions of dielectric in metal/insulator/semiconductor contacts are considered via their associated impact on the dc and ac performances. Based on dc output characteristics projections, we found that single insertion and/or single-metal integration schemes are unlikely to result in simultaneously successful Fermi-level pinning alleviation on both n and pFETs. We show that the added C-MIS contributes to a significant extra improvement in terms of intrinsic inverter delay. In particular, an optimal configuration consisting of Pt-liner/p-Si and Zr/TiO$_2$( 15 angstrom)/n-Si contacts can lead to a ring oscillator frequency higher than that of p and nFETs each flanked by ideal ohmic contacts with 10$^{-9}$ Omega.cm$^2$) resistivity.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

ANR Project :

Plateforme FDSOI pour le node 11nm

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL