Considerations on Fermi-depinning, dipoles ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
Considerations on Fermi-depinning, dipoles and oxide tunneling for oxygen-based dielectric insertions in advanced CMOS contacts
Auteur(s) :
Borrel, Julien [Auteur correspondant]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hutin, L. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Grampeix, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Nolot, E. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Ghegin, E. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
STMicroelectronics
Rodriguez, P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives [CEA]
Tabone, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Allain, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Barnes, J. -P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives [CEA]
Morand, Y. [Auteur]
Nemouchi, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gregoire, M. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, M. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hutin, L. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Grampeix, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Nolot, E. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Ghegin, E. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
STMicroelectronics
Rodriguez, P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives [CEA]
Tabone, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Allain, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Barnes, J. -P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives [CEA]
Morand, Y. [Auteur]
Nemouchi, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gregoire, M. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, M. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
Ville :
Honolulu
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2016-06-12
Titre de l’ouvrage :
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2016
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We present experimental and simulated J-V characteristics of Metal/Insulator/Semiconductor (MIS) junctions aiming at improving the contact resistivity for advanced CMOS nodes. We show that an Atomic Layer Deposition ...
Lire la suite >We present experimental and simulated J-V characteristics of Metal/Insulator/Semiconductor (MIS) junctions aiming at improving the contact resistivity for advanced CMOS nodes. We show that an Atomic Layer Deposition (ALD)-based Al2O3 process may induce a native silicon oxide regrowth leading to an additional tunneling resistance in series. A modelling-based analysis of Metal/Insulator/Insulator/Metal (MIIS) contacts, including the potentially beneficial interfacial dipole, provides a new outlook on high-kappa/SiO2 bilayers for low resistivity contacts.Lire moins >
Lire la suite >We present experimental and simulated J-V characteristics of Metal/Insulator/Semiconductor (MIS) junctions aiming at improving the contact resistivity for advanced CMOS nodes. We show that an Atomic Layer Deposition (ALD)-based Al2O3 process may induce a native silicon oxide regrowth leading to an additional tunneling resistance in series. A modelling-based analysis of Metal/Insulator/Insulator/Metal (MIIS) contacts, including the potentially beneficial interfacial dipole, provides a new outlook on high-kappa/SiO2 bilayers for low resistivity contacts.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :