InAlAs/InGaAs-MSM photodetectors based on ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
InAlAs/InGaAs-MSM photodetectors based on optical cavity using metallic mirrors: THz frequency operation, high quantum efficiency and high saturation current
Auteur(s) :
Billet, Maximilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bretin, Sara [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bavedila, Fuanki [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bretin, Sara [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bavedila, Fuanki [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
161104
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2019-04-22
ISSN :
0003-6951
Mot(s)-clé(s) en anglais :
ultrafast-photoconductors
THz photonics
MSM
optoelectronics
THz photonics
MSM
optoelectronics
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We present a metallic mirror-based resonant cavity-enhanced InAlAs/InGaAs metal-semiconductor-metal (InAlAs/InGaAs-MSM) photodetector driven by a 1550 nm wavelength illumination. The device shows a quantum efficiency higher ...
Lire la suite >We present a metallic mirror-based resonant cavity-enhanced InAlAs/InGaAs metal-semiconductor-metal (InAlAs/InGaAs-MSM) photodetector driven by a 1550 nm wavelength illumination. The device shows a quantum efficiency higher than 30 %, a cutoff frequency higher than 100 GHz and a saturation current density above 40 kA/cm 2. As a proof of concept, we demonstrate the generation of 0.25 mW of continuous wave output power at a frequency of 100 GHz via the photomixing of an optical beatnote. This result underlines the potential of InAlAs/InGaAs-MSM for sub-THz and THz optoelectronics applications driven by telecom lasers.Lire moins >
Lire la suite >We present a metallic mirror-based resonant cavity-enhanced InAlAs/InGaAs metal-semiconductor-metal (InAlAs/InGaAs-MSM) photodetector driven by a 1550 nm wavelength illumination. The device shows a quantum efficiency higher than 30 %, a cutoff frequency higher than 100 GHz and a saturation current density above 40 kA/cm 2. As a proof of concept, we demonstrate the generation of 0.25 mW of continuous wave output power at a frequency of 100 GHz via the photomixing of an optical beatnote. This result underlines the potential of InAlAs/InGaAs-MSM for sub-THz and THz optoelectronics applications driven by telecom lasers.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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