Title :

Optimization of Reactive-Ion Etching (RIE) parameters to maximize the lateral etch rate of silicon using SF6/N2 gas mixture: An alternative to etching Si in MEMS with Au components

Author(s) :

Kazar Mendes, Munique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ghouila-Houri, Cécile [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN [AIMAN-FILMS - IEMN]
Laboratoire International associé sur les phénomènes Critiques et Supercritiques en électronique fonctionnelle, acoustique et fluidique [LIA LICS/LEMAC]
Hammami, Serria [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Arnoult, Thomas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pernod, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN [AIMAN-FILMS - IEMN]
Laboratoire International associé sur les phénomènes Critiques et Supercritiques en électronique fonctionnelle, acoustique et fluidique [LIA LICS/LEMAC]
Talbi, Abdelkrim [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Acoustique Impulsionnelle & Magnéto-Acoustique Non linéaire - Fluides, Interfaces Liquides & Micro-Systèmes - IEMN [AIMAN-FILMS - IEMN]
Laboratoire International associé sur les phénomènes Critiques et Supercritiques en électronique fonctionnelle, acoustique et fluidique [LIA LICS/LEMAC]

Journal title :

Materials Letters

Pages :

129058

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2021

ISSN :

0167-577X

English keyword(s) :

Isotropic Si RIE
Microstructure
Au Thin films
MEMS
SF6/N2 plasma
DOE

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

In this work, the effects of the N2 addition to the SF6 plasma used in the isotropic silicon etching of Microelectromechanical systems (MEMS) with Au components are investigated. A four-variables Doehlert design was ...
Show more >In this work, the effects of the N2 addition to the SF6 plasma used in the isotropic silicon etching of Microelectromechanical systems (MEMS) with Au components are investigated. A four-variables Doehlert design was implemented for optimizing the etching parameters (power, pressure, gas flow rate, and N2 /SF6 ratio) to maximize the lateral etch rate of Si using SF6 /N2 gas mixture. The optimized etch condition founded for a lateral etch rate of 1.8 mm/min was: power = 143 W, chamber pressure = 86 mTorr, flow rate = 22 sccm, and N2 /SF6 ratio = 0.1. Furthermore, it was demonstrated that the established etching process avoids the structure damage of Au components.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Maturation & Valorisation de Capteurs et Actionneurs MEMS pour Le cOnTrôle réacTif d'écoulements

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL