GaN-based HEMTs operating as zero-bias ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
GaN-based HEMTs operating as zero-bias microwave detectors at low temperature
Auteur(s) :
Paz, G. [Auteur]
Iniguez de La Torre, I. [Auteur]
Universidad de Salamanca
Sanchez, H. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Gonzalez, T. [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Mateos, J. [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Iniguez de La Torre, I. [Auteur]
Universidad de Salamanca
Sanchez, H. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Gonzalez, T. [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Mateos, J. [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Titre de la manifestation scientifique :
13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021
Ville :
Seville
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2021-06-09
Date de publication :
2021
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :