GaN schottky diode on silicon substrate ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
GaN schottky diode on silicon substrate for high power THz multiplier
Auteur(s) :
Di Gioia, Giuseppe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Samnouni, M [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bouillaud, H [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mondal, P [Auteur]
LERMA Cergy [LERMA]
Treuttel, J [Auteur]
LERMA Cergy [LERMA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut de Recherche sur les Composants logiciels et matériels pour l'Information et la Communication Avancé - UAR 3380 [IRCICA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Samnouni, M [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bouillaud, H [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mondal, P [Auteur]
LERMA Cergy [LERMA]
Treuttel, J [Auteur]
LERMA Cergy [LERMA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut de Recherche sur les Composants logiciels et matériels pour l'Information et la Communication Avancé - UAR 3380 [IRCICA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
WOCSDICE 2021
Ville :
Bristol
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2021-06-14
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
GaN-based planar Schottky barrier diodes with potential applications in THz frequency multipliers were fabricated on silicon substrate and characterized. GaN is a promising candidate to overcome all the physical limitations ...
Lire la suite >GaN-based planar Schottky barrier diodes with potential applications in THz frequency multipliers were fabricated on silicon substrate and characterized. GaN is a promising candidate to overcome all the physical limitations of GaAs which have been reached in the frame of high frequency power multiplier applications. Fabrication process of GaN Schottky diodes performed by e-beam is presented and DC characterizations are reported. Preliminary results on silicon showed a low breakdown voltage.Lire moins >
Lire la suite >GaN-based planar Schottky barrier diodes with potential applications in THz frequency multipliers were fabricated on silicon substrate and characterized. GaN is a promising candidate to overcome all the physical limitations of GaAs which have been reached in the frame of high frequency power multiplier applications. Fabrication process of GaN Schottky diodes performed by e-beam is presented and DC characterizations are reported. Preliminary results on silicon showed a low breakdown voltage.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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