Titre :

Design techniques for very high speed digital delta-sigma modulators aimed at all-digital RE transmitters

Auteur(s) :

Frappé, Antoine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Flament, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kaiser, Andreas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stefanelli, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cathelin, A. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Daouphars, R. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Titre de la manifestation scientifique :

2006 13th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems

Ville :

Nice

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2006-12-10

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2006

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

This paper presents a very high-speed delta-sigma modulator for achieving digital generation of radio-frequency signals. About 68 dB of ACLR (adjacent channel leakage ratio) is obtained on the 7.8 GS/s output of the ...
Lire la suite >This paper presents a very high-speed delta-sigma modulator for achieving digital generation of radio-frequency signals. About 68 dB of ACLR (adjacent channel leakage ratio) is obtained on the 7.8 GS/s output of the delta-sigma modulator for WCDMA standard. This is achieved by using original concepts like borrow-save arithmetic, non-exact quantization and differential dynamic logic.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL