Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Title :
Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n photodiodes
Author(s) :
Elbar, Mourad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Alshehri, Bandar [Auteur]
Tobbeche, Souad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Alshehri, Bandar [Auteur]
Tobbeche, Souad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
12th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-12
City :
Strasbourg
Country :
France
Start date of the conference :
2017-07-24
Publication date :
2018-01-24
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Comment :
JIF=1.606
Source :