Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Titre :
Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n photodiodes
Auteur(s) :
Elbar, Mourad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Alshehri, Bandar [Auteur]
Tobbeche, Souad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Alshehri, Bandar [Auteur]
Tobbeche, Souad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
12th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-12
Ville :
Strasbourg
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-07-24
Date de publication :
2018-01-24
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
JIF=1.606
Source :