Titre :

Design and simulation of InGaN/GaN p-i-n photodiodes

Auteur(s) :

Elbar, Mourad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Alshehri, Bandar [Auteur]
Tobbeche, Souad [Auteur]
Université Mohamed Khider de Biskra [BISKRA]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

12th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-12

Ville :

Strasbourg

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-07-24

Date de publication :

2018-01-24

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Commentaire :

JIF=1.606

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL