Noise and transit time in ungated FET structures
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Noise and transit time in ungated FET structures
Author(s) :
Mateos, J. [Auteur]
Gonzalez, T. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Tadyszak, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gonzalez, T. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Tadyszak, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pages :
2128-2135
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
1997-12
ISSN :
0018-9383
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :