Title :

High-frequency four noise parameters of silicon-on-insulator-based technology MOSFET for the design of low-noise RF integrated circuits

Author(s) :

Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Raskin, J.-P. [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanhoenackel Janvier, D. [Auteur]
Colinge, J.-P. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

IEEE Transactions on Electron Devices

Pages :

1733-1741

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

1999

ISSN :

0018-9383

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL