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On the Mechanism of Twin Boundary Elimination in 3C-SiC(111) Heteroepitaxial Layers on α-SiC Substrates
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 71-74Article dans une revue scientifique -
Incorporation of group III, IV and V elements in 3C-SiC(111) layers grown by the vapour-liquid-solid mechanism
Journal of Crystal Growth, 2010, 312, 3443-3450Article dans une revue scientifique