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Structural and Optical Investigation of VLS Grown (111) 3C-SiC Layers on 6H-SiC Substrates in Sn-Based Melts
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 165-168Article dans une revue scientifique -
TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 383-386Article dans une revue scientifique -
Incorporation of group III, IV and V elements in 3C-SiC(111) layers grown by the vapour-liquid-solid mechanism
Journal of Crystal Growth, 2010, 312, 3443-3450Article dans une revue scientifique -
6H-Type Zigzag Faults in Low-Doped 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 347-350Article dans une revue scientifique -
Influence of Post-Growth Annealing on the Defects Nature and Distribution in VLS Grown (111) 3C-SiC Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 241-244Article dans une revue scientifique -
Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide
Journal of Crystal Growth, 2011, 324, 7-14Article dans une revue scientifique -
Effect of Inter-Well Coupling between 3C and 6H in-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 314-317Article dans une revue scientifique