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Sublimation Growth and Structural Characterization of 3C-SiC on Hexagonal and Cubic SiC Seeds
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 175-178Article dans une revue scientifique -
Sublimation epitaxy of cubic silicon carbide in vacuum
Journal of Physics. Conference Series, 2010, 223, 12014Article dans une revue scientifique -
TEM Investigation of the 3C/6H-SiC Transformation Interface in Layers Grown by Sublimation Epitaxy
Solid State Phenomena, 2010, 163, 97-100Article dans une revue scientifique -
Nucleation Control of Cubic Silicon Carbide on 6H- Substrates
Crystal Growth & Design, 2011, 12, 197-204Article dans une revue scientifique -
Polytype transformation and structural characteristics of 3C-SiC on 6H-SiC substrates
Journal of Crystal Growth, 2014, 395, 109-115Article dans une revue scientifique -
The Influence of the Temperature Gradient on the Defect Structure of 3C-SiC Grown Heteroepitaxially on 6H-SiC by Sublimation Epitaxy
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 367-370Article dans une revue scientifique -
Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide
Journal of Crystal Growth, 2011, 324, 7-14Article dans une revue scientifique