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6H-Type Zigzag Faults in Low-Doped 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 347-350Article dans une revue scientifique -
Effect of Inter-Well Coupling between 3C and 6H in-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 314-317Article dans une revue scientifique -
Heavily p-Type Doping of Bulk 6H-SiC and 3C-SiC Grown from Al-Si Melts
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 59-62Article dans une revue scientifique -
Influence of Post-Growth Annealing on the Defects Nature and Distribution in VLS Grown (111) 3C-SiC Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 241-244Article dans une revue scientifique -
The Influence of the Temperature Gradient on the Defect Structure of 3C-SiC Grown Heteroepitaxially on 6H-SiC by Sublimation Epitaxy
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 367-370Article dans une revue scientifique -
On the Mechanism of Twin Boundary Elimination in 3C-SiC(111) Heteroepitaxial Layers on α-SiC Substrates
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 71-74Article dans une revue scientifique -
Quality Investigation of 3C-SiC Crystals Grown by CF-PVT Technique
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 20-23Article dans une revue scientifique -
On the Twin Boundary Propagation in (111) 3C-SiC Layers
Materials Science Forum, 2012, 717-720, 419-422Article dans une revue scientifique -
TEM and LTPL Investigations of 3C-SiC Layers Grown by LPE on (100) and (111) 3C-SiC Seeds
Materials Science Forum, 2010, 645-648, 383-386Article dans une revue scientifique -
Structural and Optical Investigation of VLS Grown (111) 3C-SiC Layers on 6H-SiC Substrates in Sn-Based Melts
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 165-168Article dans une revue scientifique