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Structural and Optical Investigation of VLS Grown (111) 3C-SiC Layers on 6H-SiC Substrates in Sn-Based Melts
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 165-168Article dans une revue scientifique -
On the Mechanism of Twin Boundary Elimination in 3C-SiC(111) Heteroepitaxial Layers on α-SiC Substrates
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 71-74Article dans une revue scientifique -
Quality Investigation of 3C-SiC Crystals Grown by CF-PVT Technique
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 20-23Article dans une revue scientifique -
Influence of Post-Growth Annealing on the Defects Nature and Distribution in VLS Grown (111) 3C-SiC Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 241-244Article dans une revue scientifique -
Effect of initial substrate conditions on growth of cubic silicon carbide
Journal of Crystal Growth, 2011, 324, 7-14Article dans une revue scientifique -
Effect of Inter-Well Coupling between 3C and 6H in-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layers
Materials Science Forum, 2011, 679-680, 314-317Article dans une revue scientifique