Tunable room temperature THz emission from ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Auteur(s) :
Diakonova, Nina [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
El Fatimy, A. [Auteur]
Meziani, Y. [Auteur]
Otsuji, T. [Auteur]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Poisson, M. A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
El Fatimy, A. [Auteur]
Meziani, Y. [Auteur]
Otsuji, T. [Auteur]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Vandenbrouk, S. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Madjour, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Poisson, M. A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves
Ville :
Rome
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2010-09-05
Titre de l’ouvrage :
35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010)
Éditeur :
IEEE SERVICE CENTER, 445 HOES LANE, PO BOX 1331, PISCATAWAY, NJ 08855-1331 USA
Date de publication :
2010
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
Résumé en anglais : [en]
We present experimental results on the Terahertz radiation from high electron mobility transistors at room temperature, which clearly show the tunability of the emission frequency by the gate voltage.We present experimental results on the Terahertz radiation from high electron mobility transistors at room temperature, which clearly show the tunability of the emission frequency by the gate voltage.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :