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Filtre patch bi-bande 180/270 GHz en ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Filtre patch bi-bande 180/270 GHz en technologie BiCMOS 55 nm
Author(s) :
Wehbi, Mohammed [Auteur correspondant]
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Margalef-Rovira, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Durand, Cédric [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Laboratoire Composants Microsystèmes [LCMS]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ferrari, Philippe [Auteur]
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Conference title :
XXIIèmes Journées Nationales Microondes
City :
Limoges
Country :
France
Start date of the conference :
2022-06-07
Book title :
Filtre patch bi-bande 180/270 GHz en technologie BiCMOS 55 nm
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
French abstract :
Cet article présente un filtre bi-bande basé sur l’utilisation d’un seul résonateur patch utilisant quatre modes dégénérés, grâce à l’utilisation de vias et de fentes à la fois verticales et horizontales. L’utilisation de ...
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Cet article présente un filtre bi-bande basé sur l’utilisation d’un seul résonateur patch utilisant quatre modes dégénérés, grâce à l’utilisation de vias et de fentes à la fois verticales et horizontales. L’utilisation de vias permet de réduire la dimension du patch de manière significative, ce qui constitue un aspect fondamental en technologie BiCMOS. Les bandes passantes et fréquences de fonctionnement sont contrôlées à l’aide des vias et des fentes. Une preuve de concept est réalisée pour des fréquences de 180 GHz et 270 GHz. Des pertes d’insertion de l’ordre de 4-5 dB sont obtenues en mesures, pour des bandes passantes relative de 18% environ.Show less >
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Nationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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