Title :

Synthesis of In0.1Ga0.9N/GaN structures grown by MOCVD and MBE for high speed optoelectronics

Author(s) :

Alshehri, Bandar [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dogheche, Karim [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Belahsene, Sofiane [Auteur]
Université Paris-Saclay
Janjua, Bilal [Auteur]
Ramdane, Abderrahim [Auteur]
Université Paris-Saclay
Patriarche, Gilles [Auteur]
Université Paris-Saclay
Ng, Tien Khee [Auteur]
Ooi, Boon Seng [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Mrs Advances

Pages :

1735-1742

Publisher :

Cambridge University Press

Publication date :

2016-05

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

English abstract : [en]

In this work, we report a comparative investigation of InxGa1-xN (SL) and InxGa1-xN/GaN (MQW) structures with an indium content equivalent to x=10%. Both structures are grown on (0001) sapphire substrates using MOCVD and ...
Show more >In this work, we report a comparative investigation of InxGa1-xN (SL) and InxGa1-xN/GaN (MQW) structures with an indium content equivalent to x=10%. Both structures are grown on (0001) sapphire substrates using MOCVD and MBE growth techniques. Optical properties are evaluated for samples using PL characteristics. Critical differences between the resulting epitaxy are observed. Microstructures have been assessed in terms of crystalline quality, density of dislocations and surface morphology. We have focused our study towards the fabrication of vertical PIN photodiodes. The technological process has been optimized as a function of the material structure. From the optical and electrical characteristics, this study demonstrates the benefit of InGaN/GaN MQW grown by MOCVD in comparison with MBE for high speed optoelectronic applications.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL