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Dual-Band Patch Filter 180/270 GHz on BiCMOS 55nm
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/IMS37962.2022.9865564
Title :
Dual-Band Patch Filter 180/270 GHz on BiCMOS 55nm
Author(s) :
Wehbi, Mohammed [Auteur correspondant]
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Margalef-Rovira, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Durand, Cedric [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Serrano, Ariana L.C. [Auteur]
Ferrari, Philippe [Auteur]
Techniques de l'Informatique et de la Microélectronique pour l'Architecture des systèmes intégrés [TIMA]
Conference title :
2022 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2022
City :
Denver
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2022-06-19
Publisher :
IEEE
English keyword(s) :
BiCMOS technology
DualBand
millimeter-waves
Patch filter
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
This paper presents an original design for dual-band dual-mode bandpass filter based on a single grounded patch resonator. It is implemented on BiCMOS 55 nm technology to operate at 180 GHz and 270 GHz. A full control of ...
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This paper presents an original design for dual-band dual-mode bandpass filter based on a single grounded patch resonator. It is implemented on BiCMOS 55 nm technology to operate at 180 GHz and 270 GHz. A full control of both bands is possible - thanks to the usage of vias and slots. The grounded vias significantly allow the reduction of the patch resonator realizing an overall size of 0.04 mm2, which is a fundamental aspect for (Bi)CMOS. The achieved results show a good agreement between simulation and measurement results with insertion loss of 4-5 dB in the passband, return loss of 14 dB and relative bandwidths of about 18%.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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