GaP(111)B-Se surface for TMD epitaxial growth

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
GaP(111)B-Se surface for TMD epitaxial growth
Author(s) :
Chapuis, Niels [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
GDR HOWDI 2022 Meeting
City :
Dourdan
Country :
France
Start date of the conference :
2022-05-09
English keyword(s) :
TMD EPITAXIAL GROWTH
GAP(111)B-SE
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Diodes tunnel miniaturisables à base de matériaux 2D
Collections :
Source :
Harvested from HAL