GaP(111)B-Se surface for TMD epitaxial growth

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
GaP(111)B-Se surface for TMD epitaxial growth
Auteur(s) :
Chapuis, Niels [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
GDR HOWDI 2022 Meeting
Ville :
Dourdan
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2022-05-09
Mot(s)-clé(s) en anglais :
TMD EPITAXIAL GROWTH
GAP(111)B-SE
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Diodes tunnel miniaturisables à base de matériaux 2D
Collections :
Source :
Harvested from HAL