Procédé de réalisation de transistors ...
Document type :
Brevet
Title :
Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence
Author(s) :
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Fleury, Alain [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gheysens, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Monfray, Stéphane [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Fleury, Alain [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gheysens, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Monfray, Stéphane [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Country :
France
Publication date :
2023-09-11
Patent number :
FR2309552
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Source :