Electrical characterization of in-plane ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Electrical characterization of in-plane InGaAs nanostructures grown by selective molecular beam epitaxy
Auteur(s) :
Bucamp, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Vignaud, Dominique [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE)
Ville :
Shanghai
Pays :
Chine
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-09-02
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL