PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION InP/InGaAs A GUIDE D'ONDE

Abstract

Dans l'avenir sont susceptibles de voir se développer des systèmes utilisant la transmission de signaux hyperfréquences ou millimétriques par voie optique. Pour cela, il est nécessaire de disposer de photodétecteurs ultrarapides, et le phototransistor à éclairement par la tranche peut être l'un des composants répondant à cette demande. En particulier, la structure guide d'onde peut permettre, comme pour les PIN-guides, un fonctionnement en gamme millimétrique avec un rendement quantique élevé. Le phototransistor a en plus l'avantage de bénéficier d'un gain interne, sous faible tension, et a un bruit a priori plus faible que celui dû à un mécanisme d'avalanche. En outre, la fonction transistor peut permettre l'utilisation de ce composant pour la conception de circuits hyperfréquences (oscillateurs, amplificateurs) commandés optiquement. C'est pourquoi nous présentons dans cette communication l'étude et la réalisation technologique de phototransistors bipolaires à hétérojonction éclairés par la tranche.