Title :

Edge-coupled Waveguide InGaAs/InP Heterojunction Phototransistors

Author(s) :

Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vandecasteele, Jérôme [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gouy, Jean-Philippe [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maricot, Sophie [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

SEMICONDUCTOR AND INTEGRATED OPTOELECTRONICS (SIOE'97)

Conference organizers(s) :

University of Wales, Bangor, and Cardiff, in association with the Institute of Physics Quantum Electronics Group

City :

Cardiff

Country :

Royaume-Uni

Start date of the conference :

1997-03-24

English keyword(s) :

Heterojunction phototransistor

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Informatique [cs]/Modélisation et simulation
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

English abstract : [en]

Heterojunction Phototransistors (HPTs) are promising devices for high-performance optical fibre telecommunication systems for digital or microwaves applications at long wavelengths (1.3 and 1.55 µm). They simultaneously ...
Show more >Heterojunction Phototransistors (HPTs) are promising devices for high-performance optical fibre telecommunication systems for digital or microwaves applications at long wavelengths (1.3 and 1.55 µm). They simultaneously detect and amplify an optical signal, thus combining the functions of a PIN photodiode and a HBT. Unlike avalanche photodiodes (APD), they exhibit an internal gain owing to transistor effect without high bias voltage and excess noise due to avalanching.We present the study, the realisation and the characterisation of edge-coupled waveguide InGaAs/InP heterojunction phototransistor (unlike most of the phototransistors which are top-illuminated). Such a structure can absorb light efficiently and be used for microwave and millimetre wave applications.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL