Selective Area Growth of in-plane In0.5Ga0.5P ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Selective Area Growth of in-plane In0.5Ga0.5P nanowires on GaAs (111)B substrate by molecular beam epitaxy
Auteur(s) :
Barbot, Clément [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur] refId
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
21st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, EuroMBE 2023
Ville :
Madrid
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2023-04-16
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL