[Invited] Selective area growth of III-V ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée
Titre :
[Invited] Selective area growth of III-V semiconductors using atomic hydrogen during Molecular Beam epiptaxy
Auteur(s) :
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
A., Bucamp [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
M., Fahed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Patriarche, G. [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Y., Wang [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
P., Ruterana [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
A., Addad [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
M., Pastorek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
A.-B., Fadjié [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
A., Bucamp [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
M., Fahed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Patriarche, G. [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Y., Wang [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
P., Ruterana [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
A., Addad [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
M., Pastorek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
A.-B., Fadjié [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
7th International Conference on Nanostructures and Nanomaterials Self-Assembly, NanoSEA 2018
Ville :
Carqueiranne (France)
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-07-02
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :