fmax = 800 GHz with 75 nm gate length and ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Titre :
fmax = 800 GHz with 75 nm gate length and asymmetric gate recess forInGaAs/InAlAs PHEMT
Auteur(s) :
Samnouni, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur] refId
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Compound Semiconductor Week 2019, CSW 2019
Ville :
Nara Japan
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2019-05-19
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In This paper, we present a high maximumfrequency of oscillation (fmax) and a current-gain cutoff frequency(fT) of 800 GHz and 260 GHz respectively with pseudomorphichigh-electron mobility transistor (PHEMT), using a ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL