Title :

GaN Schottky Diodes Parameter Extraction Model from S-Parameters Measurement

Author(s) :

Orfao, Beatriz [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut de Recherche sur les Composants logiciels et matériels pour l'Information et la Communication Avancée - UAR 3380 [IRCICA]
Mateos, Javier [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
González, Tomás [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Abou Daher, Mahmoud [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]

Conference title :

2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

City :

Paris

Country :

France

Start date of the conference :

2024-09-23

Publisher :

IEEE

HAL domain(s) :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

GaN-on-sapphire Schottky barrier diodes (SBDs) have been fabricated for frequency multiplier applications. A complete set of characterization has been done, including DC and RF measurements. A model to extract the Schottky ...
Show more >GaN-on-sapphire Schottky barrier diodes (SBDs) have been fabricated for frequency multiplier applications. A complete set of characterization has been done, including DC and RF measurements. A model to extract the Schottky parameters from S-parameters measurements in small diodes is proposed, obtaining good capacitance agreement compared with that extracted from capacitance-voltage (C-V) measurements carried out in large-area diodes where the parasitic effects are not significant.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Investissements en NANOfabrication pour les nanotechnologies du FUTUR

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Submission date :

2024-11-05T04:26:53Z