Title :

Nonlinear Modeling of CMOS Compatible SiN/AlN/GaN MIS-HEMT on 200mm Si Operating at mm-Wave Frequencies

Author(s) :

Fouzi, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Morvan, E. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Gobil, Y. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Morisot, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]

Conference title :

2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

City :

Paris

Country :

France

Start date of the conference :

2024-09-23

Publisher :

IEEE

English keyword(s) :

GaN
MIS-HEMT
nonlinear model
power amplifiers

HAL domain(s) :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

The performance of a CMOS-compatible SiN/AlN/GaN MIS-HEMT on 200mm Silicon substrate with high power capabilities in Ka band is evaluated. The devices show an F t /F max of 80/170 GHz for 2x50x0.15 µm 2 topology, along ...
Show more >The performance of a CMOS-compatible SiN/AlN/GaN MIS-HEMT on 200mm Silicon substrate with high power capabilities in Ka band is evaluated. The devices show an F t /F max of 80/170 GHz for 2x50x0.15 µm 2 topology, along with outstanding and competitive large signal performance compared to GaN/SiC at 40 GHz. The devices demonstrate a power added efficiency PAE of 40% and an output saturated power (Psat) of 6.6 W/mm. To fully benefit from the capabilities of this new technology, an empirical Angelov model was modified to accurately describe the electrical behavior of the devices. The proposed model is validated through 40 GHz load pull measurement/simulation comparison and will be used in designing next MMIC PA (Power Amplifiers) dedicated to Ka-Ku band applications.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

European Project :

IPCEI ME/CT

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL