Titre :

Characterization of Schottky Diodes at Wafer Level for Frequency Multipliers Applications Based on RF Coplanar Measurements

Auteur(s) :

Bouillaud, Hugo [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Treuttel, Jeanne [Auteur]
LERMA Cergy [LERMA]
Mondal, Priyanka [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres [LERMA]
Gellie, Pierre [Auteur]
Laboratoire Matériaux et Phénomènes Quantiques [MPQ (UMR_7162)]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2024 19th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

Ville :

Paris

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2024-09-23

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

On-wafer Schottky diodes
RF power generation and measurements

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

While Schottky diode for THz generation have been extensively studied over last decades, technological developments are still required to reach the physical limits of these devices, such as breakdown voltage or sub-μm ...
Lire la suite >While Schottky diode for THz generation have been extensively studied over last decades, technological developments are still required to reach the physical limits of these devices, such as breakdown voltage or sub-μm devices, but also efficient thermal management in particular before their integration into waveguide packaging. We propose to investigate the DC/RF performances at device level without any integration/packaging encapsulation that require complex and time-consuming efforts. Thus, we report on initial characterization of on-wafer GaAs Schottky diodes, used as frequency doubler and pumped at 95 GHz.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Convertisseurs THz agiles & fonctionnalisés - FUNctionalized & agile TERAhertz converters
Investissements en NANOfabrication pour les nanotechnologies du FUTUR

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL