Title :

InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide

Author(s) :

Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.-F [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Alomari, M [Auteur]
Gonschorek, M [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Feltin, E [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Py, M [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N [Auteur]
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne [EPFL]
Kohn, E [Auteur]

Conference title :

Device Research Conference

City :

Santa barbara

Country :

Etats-Unis d'Amérique

Start date of the conference :

2008-06-23

Journal title :

DRC2008

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL