Large-signal modeling up to W-band of ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors
Author(s) :
Cutivet, Adrien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Boone, F. [Auteur]
Hassan, Maher, [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Boone, F. [Auteur]
Hassan, Maher, [Auteur]
Conference title :
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
City :
Paris
Country :
France
Start date of the conference :
2015-09-07
Book title :
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2015)
Publisher :
IEEE
Publication date :
2015
English keyword(s) :
Electra-thermal Modeling
Large-signal
HEMT
AIGaN/GaN
W-band
Large-signal
HEMT
AIGaN/GaN
W-band
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
This paper reports on the development of a thermo-electrical non-linear model for sub-100 nm gate length AR:aN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMT) grown on silicon (111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE). ...
Show more >This paper reports on the development of a thermo-electrical non-linear model for sub-100 nm gate length AR:aN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMT) grown on silicon (111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The presented model benefits from the innovative implementations of a sub-network taking into account access resistances frequency dispersion and a double intrinsic current source well suited for DC/RF dispersion losses. A comparison between simulation and experimental results under large-signal operating conditions at both 40 GEls and 94 C,Hz demonstrates the functionality of the implemented model.Show less >
Show more >This paper reports on the development of a thermo-electrical non-linear model for sub-100 nm gate length AR:aN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMT) grown on silicon (111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The presented model benefits from the innovative implementations of a sub-network taking into account access resistances frequency dispersion and a double intrinsic current source well suited for DC/RF dispersion losses. A comparison between simulation and experimental results under large-signal operating conditions at both 40 GEls and 94 C,Hz demonstrates the functionality of the implemented model.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :