Title :

Corrigendum to ‘Electron-transport polymeric gold nanoparticles memory device, artificial synapse for neuromorphic applications’ [Organic Electronics Volume 50 (2017) 499-506]

Author(s) :

Hafsi, B. [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boubaker, A. [Auteur]
Guérin, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lenfant, Stephane [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desbief, S. [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Alibart, Fabien [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kalboussi, A. [Auteur]
Laboratoire de Microélectronique et Instrumentations [Monastir]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Pages :

277-278

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2018

ISSN :

1566-1199

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL