Titre :

High Frequency Analysis and Small-Signal Modeling of AlGaN/GaN HEMTs with SiO2/SiN Passivation

Auteur(s) :

Gassoumi, Moujahed [Auteur]
Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]
Helali, Abdelhamid [Auteur]
Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]
Gassoumi, Malek [Auteur]
Qassim University [Kingdom of Saudi Arabia]
Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, Hassen [Auteur]
Laboratoire de Micro-optoélectronique et Nanostructures [Monastir]

Titre de la revue :

Silicon

Pagination :

557-562

Éditeur :

Springer

Date de publication :

2019

ISSN :

1876-990X

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Radio-frequency
Equivalent circuit parameters
Small signal modeling
Passivation
AlGaN/GaN/Si HEMTs

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Résumé en anglais : [en]

AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on Silicon substrates grown by molecular beam epitaxy have been investigated using small-signal microwave measurements, to see performance Radio-frequency of components. ...
Lire la suite >AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on Silicon substrates grown by molecular beam epitaxy have been investigated using small-signal microwave measurements, to see performance Radio-frequency of components. Passivation of HEMT devices SiO2/SiN a different pretreatment is used to reduce the effects of trapping and consequently has a large effect on these radio-frequency parameters. We used cold-FET and hot FET technique to extract the intrinsic and extrinsic parameters in order to show the effect passivation of parasitic elements; the parasitic capacitances, resistances and inductances. From this point we discover the extent of their impact on power and microwave performance.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL