Sputtered tungsten nitride films as ...
Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
Titre :
Sputtered tungsten nitride films as pseudocapacitive electrode for on chip micro-supercapacitors
Auteur(s) :
Ouendi, Saliha [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robert, Kevin [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Brousse, Thierry [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Lethien, Christophe [Auteur]
Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robert, Kevin [Auteur]

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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Brousse, Thierry [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Roussel, Pascal [Auteur]

Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Lethien, Christophe [Auteur]

Réseau sur le stockage électrochimique de l'énergie [RS2E]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Energy Storage Materials
Pagination :
243-252
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2019-07
ISSN :
2405-8297
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Tungsten nitride
Pseudocapacitance
Sputtering
AFM
Micro-supercapacitor
Pseudocapacitance
Sputtering
AFM
Micro-supercapacitor
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
AbstractMicro-supercapacitors, a class of miniaturized electrochemical capacitors, are an attractive solution to power smart and connected sensors for Internet of Thing (IoT) applications. Unfortunately, to propose on chip ...
Lire la suite >AbstractMicro-supercapacitors, a class of miniaturized electrochemical capacitors, are an attractive solution to power smart and connected sensors for Internet of Thing (IoT) applications. Unfortunately, to propose on chip micro-supercapacitors with high technological readiness level, the deposition of electrode materials on large-scale substrate is challenging from microelectronic industry point of view. To fulfill the IoT needs and semiconductor industry requirements, the sputtering deposition of transition metal nitride was investigated in the framework of this paper. Bi-functional tungsten nitride films were sputtered on silicon wafer and were investigated both as a current collector and as an electrode material. Atomic Force Microscopy technique was used to evaluate the specific surface of the sputtered films. 7.9 μm-thick W2N films exhibits a specific surface of 75 cm2 per cm2 footprint area and thus it exhibits capacitance values up to 0.55 F cm−2 and more than 700 F cm−3 in 1 M KOH aqueous electrolyte.Lire moins >
Lire la suite >AbstractMicro-supercapacitors, a class of miniaturized electrochemical capacitors, are an attractive solution to power smart and connected sensors for Internet of Thing (IoT) applications. Unfortunately, to propose on chip micro-supercapacitors with high technological readiness level, the deposition of electrode materials on large-scale substrate is challenging from microelectronic industry point of view. To fulfill the IoT needs and semiconductor industry requirements, the sputtering deposition of transition metal nitride was investigated in the framework of this paper. Bi-functional tungsten nitride films were sputtered on silicon wafer and were investigated both as a current collector and as an electrode material. Atomic Force Microscopy technique was used to evaluate the specific surface of the sputtered films. 7.9 μm-thick W2N films exhibits a specific surface of 75 cm2 per cm2 footprint area and thus it exhibits capacitance values up to 0.55 F cm−2 and more than 700 F cm−3 in 1 M KOH aqueous electrolyte.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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- 2019-Sputtered%20tungsten%20nitride%20films%20as%20pseudocapacitive%20electrode%20for%20on%20chip%20micro-energy%20storage%20materials.pdf
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