Titre :

Short-term reliability of high performance Q-band AlN/GaN HEMTs

Auteur(s) :

Kabouche, R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harrouche, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2020)

Ville :

Dallas, TX

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2020-04-28

Titre de l’ouvrage :

2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

Titre de la revue :

Proceedinfs of 2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2020

Mot(s)-clé(s) en anglais :

GaN
HEMTs
output power density (Pout)
power added efficiency (PAE)
Q-band
on-wafer short-term reliability

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

We report on an on-wafer short-term 40 GHz RF reliability stress test comparison between a 3 nm versus 4 nm barrier thickness AlN/GaN HEMT technology showing state-ofthe-art power performances in the millimeter wave range. ...
Lire la suite >We report on an on-wafer short-term 40 GHz RF reliability stress test comparison between a 3 nm versus 4 nm barrier thickness AlN/GaN HEMT technology showing state-ofthe-art power performances in the millimeter wave range. It is found that the barrier thickness in this highly strain heterostructure has a major impact on the device reliability. The superior robustness when using thinner barrier (closer to the critical thickness) is attributed to the reduced strain.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Compréhension et optimisation des phénomènes de pièges dans le cadre du développement de la prochaine génération de composants de puissance à base de GaN fonctionnant au-delà de 30 GHz

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL