High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
Auteur(s) :
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pecheux, Romain [Auteur]
Harrouche, Kathia [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Gucmann, Filip [Auteur]
Middleton, Callum [Auteur]
Pomeroy, James [Auteur]
Kuball, Martin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pecheux, Romain [Auteur]
Harrouche, Kathia [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Gucmann, Filip [Auteur]
Middleton, Callum [Auteur]
Pomeroy, James [Auteur]
Kuball, Martin [Auteur]
Titre de la revue :
International Journal of High Speed Electronics and Systems
Pagination :
1940003
Éditeur :
World Scientific Publishing
Date de publication :
2019-03
ISSN :
0129-1564
Mot(s)-clé(s) en anglais :
High electron mobility transistors (HEMTs)
Double heterostructure field effect transistor (DHFET)
GaN
Raman thermography
output power density (POUT)
power added efficiency (PAE)
Double heterostructure field effect transistor (DHFET)
GaN
Raman thermography
output power density (POUT)
power added efficiency (PAE)
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
In this paper, we demonstrate Q-band power performance of carbon doped AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) using a deep sub-micrometer gate length (120 nm). With a maximum drain current density ID of 1.5 ...
Lire la suite >In this paper, we demonstrate Q-band power performance of carbon doped AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) using a deep sub-micrometer gate length (120 nm). With a maximum drain current density ID of 1.5 A/mm associated to a high electron confinement and an extrinsic transconductance gm of 500 mS/mm, this structure shows excellent electrical characteristics. A maximum oscillation frequency fmax of 242 GHz has been observed As a result, a state-of-the-art combination at 40 GHz of output power density (POUT = 7 W/mm) and power added efficiency (PAE) of 52% up to VDS = 25V has been obtained. The achievement of such outstanding performance is attributed to the reduced thermal resistance (RTH) as compared to the commonly used double heterostructure by means of Raman thermography.Lire moins >
Lire la suite >In this paper, we demonstrate Q-band power performance of carbon doped AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) using a deep sub-micrometer gate length (120 nm). With a maximum drain current density ID of 1.5 A/mm associated to a high electron confinement and an extrinsic transconductance gm of 500 mS/mm, this structure shows excellent electrical characteristics. A maximum oscillation frequency fmax of 242 GHz has been observed As a result, a state-of-the-art combination at 40 GHz of output power density (POUT = 7 W/mm) and power added efficiency (PAE) of 52% up to VDS = 25V has been obtained. The achievement of such outstanding performance is attributed to the reduced thermal resistance (RTH) as compared to the commonly used double heterostructure by means of Raman thermography.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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