High power, high PAE Q-band sub-10 nm ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
High power, high PAE Q-band sub-10 nm barrier thickness AlN/GaN HEMTs
Auteur(s) :
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Kabouche, Riad [Auteur]
Linge, Astrid [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Linge, Astrid [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Zegaoui, Malek [Auteur]
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Medjdoub, Farid [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
physica status solidi (a)
Pagination :
1600797
Éditeur :
Wiley
Date de publication :
2017-08
ISSN :
0031-8965
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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