Title :

InAlGaN/GaN HEMTs at Cryogenic Temperatures

Author(s) :

Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Linge, Astrid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ben-Ammar, Hichem [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Chauvat, Marie-Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Ruterana, Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Gamarra, Piero [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Lacam, Cédric [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Electronics

Pages :

31

Publisher :

MDPI

Publication date :

2016-12

ISSN :

2079-9292

English keyword(s) :

InAlGaN HEMT
Cryogenic temperature
Microwave

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

We report on the electron transport properties of two-dimensional electron gas confined in a quaternary barrier InAlGaN/AlN/GaN heterostructure down to cryogenic temperatures for the first time. A state-of-the-art electron ...
Show more >We report on the electron transport properties of two-dimensional electron gas confined in a quaternary barrier InAlGaN/AlN/GaN heterostructure down to cryogenic temperatures for the first time. A state-of-the-art electron mobility of 7340 cm2·V−1·s−1 combined with a sheet carrier density of 1.93 × 1013 cm−2 leading to a remarkably low sheet resistance of 44 Ω/□ are measured at 4 K. A strong improvement of Direct current (DC) and Radio frequency (RF) characteristics is observed at low temperatures. The excellent current and power gain cutoff frequencies (fT/fmax) of 65/180 GHz and 95/265 GHz at room temperature and 77 K, respectively, using a 0.12 μm technology confirmed the outstanding 2DEG properties.Show less >

Language :

Anglais

Popular science :

Non

ANR Project :

Couches d'InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL