Méthode de caractérisation de transistors ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences
Author(s) :
Pace, Loris [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Conference title :
Symposium de Génie Electrique
Conference organizers(s) :
Université de Lorraine [UL]
City :
Nancy
Country :
France
Start date of the conference :
2018-07-03
Keyword(s) :
Composants semi-conducteurs de puissance
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Energie électrique
French abstract :
Les composants de puissance à base de GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques fonctionnant à hautes fréquences. Les principales propriétés de cette filière technologique conduisent ...
Show more >Les composants de puissance à base de GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques fonctionnant à hautes fréquences. Les principales propriétés de cette filière technologique conduisent à une réduction de la taille, du poids et du volume des convertisseurs d'énergie. La conception de ces convertisseurs hautes fréquences (HF) repose sur des simulations nécessitant des modèles de composants actifs très précis. Afin d'obtenir ces modèles, une phase de caractérisation est nécessaire. Ce travail présente une méthode de caractérisation des transistors de puissance GaN basée sur des mesures de paramètres S à l'aide de dispositifs d'adaptation sur circuit imprimé ainsi que sur des mesures en régime pulsé.Show less >
Show more >Les composants de puissance à base de GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques fonctionnant à hautes fréquences. Les principales propriétés de cette filière technologique conduisent à une réduction de la taille, du poids et du volume des convertisseurs d'énergie. La conception de ces convertisseurs hautes fréquences (HF) repose sur des simulations nécessitant des modèles de composants actifs très précis. Afin d'obtenir ces modèles, une phase de caractérisation est nécessaire. Ce travail présente une méthode de caractérisation des transistors de puissance GaN basée sur des mesures de paramètres S à l'aide de dispositifs d'adaptation sur circuit imprimé ainsi que sur des mesures en régime pulsé.Show less >
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :
Files
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