‘Load Impedance Influence on the ID (VDS) ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
‘Load Impedance Influence on the ID (VDS) Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large Signal Regime at 4 GHz’
Author(s) :
Vellas, N. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Bue, F. [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Poisson, M. A. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Bue, F. [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Poisson, M. A. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2002
ISSN :
0741-3106
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :