Structural and electrical properties of ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(111) and GaN templates
Author(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Natali, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Beaumont, B. [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Faurie, J.-P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Natali, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Beaumont, B. [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Faurie, J.-P. [Auteur]
Journal title :
Journal of Crystal Growth
Pages :
383-386
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2005-05
ISSN :
0022-0248
HAL domain(s) :
Physique [physics]
English abstract : [en]
In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1 1 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical ...
Show more >In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1 1 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical properties of these layers have been studied in order to determine the impact of substrate choice and buffer layer on active layer quality. Furthermore, an intercalated AlN layer grown on a GaN template is shown to enhance the insulating properties of the buffer.Show less >
Show more >In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1 1 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical properties of these layers have been studied in order to determine the impact of substrate choice and buffer layer on active layer quality. Furthermore, an intercalated AlN layer grown on a GaN template is shown to enhance the insulating properties of the buffer.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
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