Conductance switching at the nanoscale of ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Conductance switching at the nanoscale of diarylethene derivative self-assembled monolayers on La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub>
Auteur(s) :
Thomas, Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guérin, David [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quinard, Benoît [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Jacquet, Eric [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Mattana, Richard [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Seneor, Pierre [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lenfant, Stephane [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guérin, David [Auteur]

Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quinard, Benoît [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Jacquet, Eric [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Mattana, Richard [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Seneor, Pierre [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Vuillaume, Dominique [Auteur]

Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]

Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lenfant, Stephane [Auteur]

Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Nanoscale
Pagination :
8268-8276
Éditeur :
Royal Society of Chemistry
Date de publication :
2020-03-09
ISSN :
2040-3364
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Résumé en anglais : [en]
We report on the phosphonic acid route for the grafting of functional molecules, optical switch (dithienylethene diphosphonic acid, DDA), on La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub> (LSMO). Compact self-assembled ...
Lire la suite >We report on the phosphonic acid route for the grafting of functional molecules, optical switch (dithienylethene diphosphonic acid, DDA), on La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub> (LSMO). Compact self-assembled monolayers (SAMs) of DDA are formed on LSMO as studied by topographic atomic force microscopy (AFM), ellipsometry, water contact angle and X-ray photoemission spectroscopy (XPS). The conducting AFM measurements show that the electrical conductance of LSMO/DDA is about 3 decades below that of the bare LSMO substrate. Moreover, the presence of the DDA SAM suppresses the known conductance switching of the LSMO substrate that is induced by mechanical and/or bias constraints during C-AFM measurements. A partial light-induced conductance switching between the open and closed forms of the DDA is observed for the LSMO/DDA/C-AFM tip molecular junctions (closed/open conductance ratio of about 8). We show that, in the case of long-time exposition to UV light, this feature can be masked by a non-reversible decrease (a factor of about 15) of the conductance of the LSMO electrode.Lire moins >
Lire la suite >We report on the phosphonic acid route for the grafting of functional molecules, optical switch (dithienylethene diphosphonic acid, DDA), on La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub> (LSMO). Compact self-assembled monolayers (SAMs) of DDA are formed on LSMO as studied by topographic atomic force microscopy (AFM), ellipsometry, water contact angle and X-ray photoemission spectroscopy (XPS). The conducting AFM measurements show that the electrical conductance of LSMO/DDA is about 3 decades below that of the bare LSMO substrate. Moreover, the presence of the DDA SAM suppresses the known conductance switching of the LSMO substrate that is induced by mechanical and/or bias constraints during C-AFM measurements. A partial light-induced conductance switching between the open and closed forms of the DDA is observed for the LSMO/DDA/C-AFM tip molecular junctions (closed/open conductance ratio of about 8). We show that, in the case of long-time exposition to UV light, this feature can be masked by a non-reversible decrease (a factor of about 15) of the conductance of the LSMO electrode.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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- http://arxiv.org/pdf/2003.09622
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