AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Ultra -Wide Bandgap AlN buffer
Auteur(s) :
Abid, Idriss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bougerol, C. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bougerol, C. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019
Ville :
Cabourg
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2019-06-17
Titre de l’ouvrage :
2019 WOCSDICE proceeding
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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