Title :

High performance HBV multipliers monolithically integrated onto a host quartz substrate

Author(s) :

David, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Arscott, Steve [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Munier, J.-M. [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Decoopman, Thibaut [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melique, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanbesien, Olivier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaudin, Gérard [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

THz 2002. 2002 IEEE Tenth International Conference on Terahertz Electronics

City :

Cambridge

Country :

Royaume-Uni

Start date of the conference :

2002-09-10

Publisher :

IEEE

English keyword(s) :

Substrates
Frequency
Circuits
Diodes
Indium gallium arsenide
Varactors
Bandwidth
Matched filters
Filtering
Millimeter wave devices

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. ...
Show more >Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial lift-off and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition we have observed a 45 GHz 3 dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW. We also report on the design of a multiplier block in a fin line technology making use of smoothly corrugated tapered sections for mode matching and filteringShow less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL