Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate Electrodes and Its Natural Oxide as Dielectrics
Auteur(s) :
Wei, Wei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zhou, Xin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deokar, Geetanjali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kim, Haechon [Auteur]
Belhaj, Mohamed Moez [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Galopin, Elisabeth [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zhou, Xin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deokar, Geetanjali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kim, Haechon [Auteur]
Belhaj, Mohamed Moez [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Galopin, Elisabeth [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
2769-2773
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2015-09
ISSN :
0018-9383
Discipline(s) HAL :
Chimie
Physique [physics]
Science non linéaire [physics]
Planète et Univers [physics]
Sciences du Vivant [q-bio]
Sciences de l'ingénieur [physics]
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Science non linéaire [physics]
Planète et Univers [physics]
Sciences du Vivant [q-bio]
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :