Title :

Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm

Author(s) :

Bossuet, Alice [Auteur]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Fournier, Jean-Michel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics

Conference title :

19èmes Journées Nationales Micro-ondes

City :

Bordeaux

Country :

France

Start date of the conference :

2015-06-04

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Language :

Français

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Nationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL