Titre :

Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction

Auteur(s) :

Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deng, M. [Auteur]
Bouvot, S. [Auteur]
Goncalves, J. Azevedo [Auteur]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bossuet, A. [Auteur]
Quemerais, T. [Auteur]
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Fournier, J-M [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Chevalier, P. [Auteur]
no affiliation
Gloria, D. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]

Titre de la manifestation scientifique :

2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF)

Ville :

Vilnius

Pays :

Lituanie

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-06-20

Titre de la revue :

Proceedings of International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) 2017

Éditeur :

IEEE

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL